DALLAS SEMICONDUCTOR DS2009-80

表面安装

NO

终端数量

28

Operating Temperature (Max.)

70°C

JESD-609代码

e0

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

附加功能

RETRANSMIT

端子位置

DUAL

终端形式

THROUGH-HOLE

功能数量

1

电源电压

5V

端子间距

2.54mm

JESD-30代码

R-PDIP-T28

资历状况

不合格

电源电压-最大值(Vsup)

5.5V

电源

5V

温度等级

COMMERCIAL

电源电压-最小值(Vsup)

4.5V

操作模式

ASYNCHRONOUS

时钟频率

10MHz

电源电流-最大值

0.1mA

组织结构

512X9

输出特性

3-STATE

内存宽度

9

待机电流-最大值

0.008A

记忆密度

4608 bit

访问时间（最大）

80 ns

并行/串行

PARALLEL

内存IC类型

其他先进先出

输出启用

NO

周期

100 ns

RoHS状态

Non-RoHS Compliant