AJS431BNTR-G1详情
Diodes AJS431BNTR-G1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
24-VBGA
供应商器件包装
24-FBGA (6x8)
Package
Tray
厂商
Infineon Technologies
Product Status
活跃
Memory Types
Volatile
操作温度
-40°C ~ 85°C (TA)
系列
HyperRAM™ KL
技术
PSRAM (Pseudo SRAM)
电压 - 供电
2.7V ~ 3.6V
内存大小
128Mbit
时钟频率
166 MHz
访问时间
36 ns
内存格式
PSRAM
内存接口
HyperBus
写入周期时间 - 字符、页面
36ns
组织的记忆
16M x 8
AJS431BNTR-G1拓展信息








哦! 它是空的。