Diodes BC856B-7

底架

表面贴装

表面安装

YES

引脚数

3

质量

7.994566 mg

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Emitter-Base Voltage

5(V)

Operating Temperature Classification

Military

Package Type

SOT-23

Transistor Polarity

PNP

Collector-Base Voltage

80(V)

Category

双极小信号

Operating Temp Range

-55C to 150C

Collector Current (DC)

0.1(A)

Number of Elements

1

Rad Hardened

无

Collector-Emitter Voltage

65(V)

DC Current Gain

220

Mounting

表面贴装

hFEMin

220

RoHS

Non-Compliant

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

10

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

无

Transition Frequency-Nom (fT)

200 MHz

Manufacturer Part Number

BC856B-7

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Diodes Incorporated

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

DIODES INC

Risk Rank

5

包装

卷带

JESD-609代码

e0

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn85Pb15)

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-65 °C

子类别

其他晶体管

最大功率耗散

300 mW

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

235

Reach合规守则

not_compliant

频率

200(MHz)

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PDSO-G3

资历状况

不合格

极性

PNP

配置

Single

元素配置

Single

功率耗散

0.35(W)

输出功率

Not Required(W)

晶体管应用

SWITCHING

增益带宽积

200 MHz

极性/通道类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

65 V

最大集电极电流

100 mA

集电极基极电压(VCBO)

80 V

最大耗散功率(Abs)

0.3 W

发射极基极电压 (VEBO)

5 V

集电极电流-最大值(IC)

0.1 A

最小直流增益（hFE）

220

集电极-发射器电压-最大值

65 V

宽度

1.4 mm

高度

1 mm

长度

3.05 mm