Diodes BC858C-7

引脚数

3

质量

7.994566 mg

hFEMin

420

RoHS

Non-Compliant

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-65 °C

最大功率耗散

300 mW

极性

PNP

元素配置

Single

增益带宽积

200 MHz

集电极发射器电压(VCEO)

30 V

最大集电极电流

100 mA

集电极基极电压(VCBO)

30 V

发射极基极电压 (VEBO)

5 V

宽度

1.4 mm

高度

1 mm

长度

3.05 mm