BZT52C7V5SQ-7-F详情
Diodes BZT52C7V5SQ-7-F重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
表面安装
YES
供应商器件包装
TO-263 (D²Pak)
二极管元件材料
SILICON
终端数量
2
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
6.6A (Ta), 51A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
7V, 10V
Power Dissipation (Max)
2.5W (Ta), 150W (Tc)
Package Description
R-PDSO-G2
Package Style
小概要
Moisture Sensitivity Levels
1
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Min
-65 °C
Reflow Temperature-Max (s)
40
Reference Voltage-Nom
7.5 V
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
BZT52C7V5SQ-7-F
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Diodes Incorporated
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
DIODES INC
Risk Rank
5.62
操作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
系列
SDMOS™
包装
Bulk
JESD-609代码
e3
无铅代码
有
零件状态
Obsolete
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
附加功能
HIGH RELIABILITY
HTS代码
8541.10.00.50
子类别
电压基准二极管
技术
MOSFET (Metal Oxide)
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
compliant
参考标准
AEC-Q101
JESD-30代码
R-PDSO-G2
极性
UNIDIRECTIONAL
配置
SINGLE
二极管类型
泽纳电极
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
25 mOhm @ 20A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250µA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2200pF @ 50V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
34nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
100V
Vgs(最大值)
±25V
最大电压允差
6.04%
工作测试电流
5 mA
动态阻抗-最大值
15 Ω
场效应管特性
--
BZT52C7V5SQ-7-F拓展信息








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