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首页 分立半导体产品 晶体管 - 双极（BJT）- 阵列 - 预偏置 DDA114TUQ-13-F
DDA114TUQ-13-F
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Diodes DDA114TUQ-13-F

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型号

DDA114TUQ-13-F

品牌

Diodes

utmel 编号

671-DDA114TUQ-13-F

商品类别

晶体管 - 双极（BJT）- 阵列 - 预偏置

封装

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Transistor Digital BJT PNP 50V 100mA 6-Pin SOT-363 T/R Automotive

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DDA114TUQ-13-F
DDA114TUQ-13-F Diodes Transistor Digital BJT PNP 50V 100mA 6-Pin SOT-363 T/R Automotive

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DDA114TUQ-13-F详情

技术参数

Diodes DDA114TUQ-13-F重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    6-TSSOP, SC-88, SOT-363

  • 供应商器件包装

    SOT-363

  • Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

    10000

  • Manufacturer

    Diodes Incorporated

  • Brand

    Diodes Incorporated

  • RoHS

    Details

  • Package

    Tape & Reel (TR)

  • Current-Collector (Ic) (Max)

    100mA

  • 厂商

    Diodes Incorporated

  • Product Status

    活跃

  • 包装

    MouseReel

  • 系列

    Automotive, AEC-Q101, DDA (XXXX) U

  • 子类别

    Transistors

  • 功率 - 最大

    200mW

  • 产品类别

    BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased

  • 晶体管类型

    2 PNP - Pre-Biased (Dual)

  • 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

    160 @ 1mA, 5V

  • 最大集极截止电流

    500nA (ICBO)

  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

    300mV @ 100µA, 1mA

  • 电压 - 集射极击穿（最大值）

    50V

  • 频率转换

    250MHz

  • 电阻基(R1)

    10kOhms

  • 电阻-发射极基极(R2)

    -

  • 产品类别

    Bipolar Transistors - Pre-Biased

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AS
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