EDI88128CS55FB详情
Diodes EDI88128CS55FB重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
32
Package Description
CERAMIC, DFP-32
Package Style
FLATPACK
Number of Words Code
128000
Package Body Material
CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
Package Equivalence Code
FL32,.4
Operating Temperature-Min
-55 °C
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Access Time-Max
55 ns
Operating Temperature-Max
125 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
EDI88128CS55FB
Number of Words
131072 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
5 V
Package Code
DFP
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
White Electronic Designs Corp
Part Life Cycle Code
Transferred
Ihs Manufacturer
WHITE ELECTRONIC DESIGNS CORP
Risk Rank
5.65
Usage Level
Military grade
子类别
SRAMs
技术
CMOS
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
功能数量
1
端子间距
1.27 mm
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
R-CDFP-F32
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
5.5 V
电源
5 V
温度等级
MILITARY
电源电压-最小值(Vsup)
4.5 V
操作模式
ASYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.2 mA
组织结构
128KX8
输出特性
3-STATE
座位高度-最大
2.9464 mm
内存宽度
8
待机电流-最大值
0.01 A
记忆密度
1048576 bit
筛选水平
MIL-STD-883
并行/串行
PARALLEL
I/O类型
COMMON
内存IC类型
标准SRAM
待机电压-最小值
4.5 V
宽度
10.414 mm
长度
20.828 mm
EDI88128CS55FB拓展信息








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