MMBZ5252BQ-7-F详情
Diodes MMBZ5252BQ-7-F重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
18 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
208-LQFP
表面安装
YES
供应商器件包装
208-LQFP (28x28)
二极管元件材料
SILICON
终端数量
3
Number of I/Os
177
Package
Tray
Base Product Number
CY91F528
厂商
Infineon Technologies
Product Status
Obsolete
Unit Weight
0.000282 oz
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
3000
Manufacturer
Diodes Incorporated
Brand
Diodes Incorporated
RoHS
Details
Impedance (Max) (Zzt)
33 Ohms
Package Description
R-PDSO-G3
Package Style
小概要
Moisture Sensitivity Levels
1
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Min
-65 °C
Reflow Temperature-Max (s)
40
Reference Voltage-Nom
24 V
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
MMBZ5252BQ-7-F
Power Dissipation (Max)
0.35 W
Package Shape
RECTANGULAR
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
DIODES INC
Risk Rank
5.12
操作温度
-40°C ~ 125°C (TA)
系列
FR MB91520
包装
MouseReel
容差
±5%
JESD-609代码
e3
无铅代码
有
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
附加功能
HIGH RELIABILITY
HTS代码
8541.10.00.50
子类别
Diodes & Rectifiers
技术
ZENER
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
compliant
参考标准
AEC-Q101
JESD-30代码
R-PDSO-G3
极性
UNIDIRECTIONAL
配置
SINGLE
振荡器类型
External
速度
128MHz
二极管类型
泽纳电极
内存大小
336K x 8
反向泄漏电流@ Vr
100 nA @ 18 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
900 mV @ 10 mA
电压 - 供电 (Vcc/Vdd)
2.7V ~ 5.5V
核心处理器
FR81S
周边设备
DMA, LVD, POR, PWM, WDT
程序存储器类型
FLASH
芯尺寸
32-Bit Single-Core
程序内存大小
2.0625MB (2.0625M x 8)
连接方式
CANbus, CSIO, EBI/EMI, I²C, LINbus, SPI, UART/USART
功率 - 最大
350 mW
电压 - 齐纳(标准值)(Vz)
24 V
产品类别
齐纳二极管
最大电压允差
5%
工作测试电流
5.2 mA
EEPROM 大小
64K x 8
动态阻抗-最大值
33 Ω
产品类别
齐纳二极管
MMBZ5252BQ-7-F拓展信息
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
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Diodes Incorporated








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