UF3055L-TN3-R详情
Diodes UF3055L-TN3-R重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
6-SMD, No Lead
表面安装
YES
终端数量
2
晶体管元件材料
SILICON
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PDSO-G2
Package Style
小概要
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
UF3055L-TN3-R
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Unisonic Technologies Co Ltd
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
UNISONIC TECHNOLOGIES CO LTD
Risk Rank
5.68
Part Package Code
TO-252
Drain Current-Max (ID)
3 A
操作温度
-20°C ~ 70°C
系列
XPRESSO™ FXO-PC52
包装
Strip
尺寸/尺寸
0.203 L x 0.132 W (5.15mm x 3.35mm)
零件状态
活跃
ECCN 代码
EAR99
类型
XO (Standard)
HTS代码
8541.29.00.95
电压 - 供电
2.5V
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
compliant
频率
750MHz
频率稳定性
±100ppm
输出量
LVPECL
引脚数量
4
JESD-30代码
R-PDSO-G2
功能
Enable/Disable
基本谐振器
Crystal
最大电流源
72mA
电流 - 电源(禁用)(最大值)
--
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-252
漏极-源极导通最大电阻
0.11 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
9 A
DS 击穿电压-最小值
60 V
雪崩能量等级(Eas)
74 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
座位高度(最大)
0.055 (1.40mm)
评级结果
--
UF3055L-TN3-R拓展信息








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