ZC835详情
Diodes ZC835重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-SMD, Flat Lead
表面安装
YES
供应商器件包装
ChipFET™
二极管元件材料
SILICON
终端数量
3
Package
Bulk
Current-Collector (Ic) (Max)
2 A
Base Product Number
NSS35200
厂商
Sanyo
Product Status
活跃
Moisture Sensitivity Levels
1
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Min
-55 °C
Reflow Temperature-Max (s)
40
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
ZC835
Power Dissipation (Max)
0.33 W
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Zetex / Diodes Inc
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Transferred
Ihs Manufacturer
ZETEX PLC
Package Style
小概要
Package Description
R-PDSO-G3
Risk Rank
5.06
操作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
系列
-
JESD-609代码
e3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
附加功能
低噪音
HTS代码
8541.10.00.80
子类别
Varactors
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
R-PDSO-G3
资历状况
不合格
配置
SINGLE
二极管类型
可变电容二极管
功率 - 最大
635 mW
晶体管类型
PNP
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
100 @ 1.5A, 2V
Rep Pk反向电压-最大值
25 V
最大集极截止电流
100nA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
300mV @ 20mA, 2A
电压 - 集射极击穿(最大值)
35 V
频率转换
100MHz
反向电流-最大值
2e-8 µA
击穿电压-最小值
25 V
反向测试电压
20 V
二极管电容-标称
68 pF
二极管容差
20%
最小品质因数
100
可变电容二极管分类
HYPERABRUPT
二极管电容比-最小值
5
ZC835拓展信息








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