Diodes ZTX327

底架

表面贴装

表面安装

NO

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer

Miscellaneous

Collector-Emitter Breakdown Voltage

12 V

RoHS

Compliant

Voltage Rating (DC)

55 V

hFEMin

15

Package Description

IN-LINE, R-PSIP-W3

Package Style

IN-LINE

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Operating Temperature-Max

200 °C

Rohs Code

无

Transition Frequency-Nom (fT)

500 MHz

Manufacturer Part Number

ZTX327

Package Shape

RECTANGULAR

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Transferred

Ihs Manufacturer

ZETEX PLC

Risk Rank

5.09

包装

Tape & Reel (TR)

JESD-609代码

e0

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

HTS代码

8541.29.00.75

子类别

其他晶体管

最大功率耗散

330 mW

端子位置

SINGLE

终端形式

WIRE

Reach合规守则

unknown

额定电流

400 mA

JESD-30代码

R-PSIP-W3

资历状况

不合格

极性

NPN

配置

SINGLE

元素配置

Single

功率耗散

1.5 W

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

30 V

最大集电极电流

50 mA

增益

15 dB

最高频率

800 MHz

转换频率

2 GHz

最大耗散功率(Abs)

0.35 W

集电极电流-最大值(IC)

0.4 A

最小直流增益（hFE）

15

连续集电极电流

400 mA

集电极-发射器电压-最大值

30 V

VCEsat-最大值

1 V

最高频段

超高频段

集电极-基极电容-最大值

3 pF

功率增益-最小值(Gp)

8.5 dB

无铅

含铅