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ZXMN2B03E6

ZXMN2B03E6

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Diodes ZXMN2B03E6

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对比

型号

ZXMN2B03E6

品牌

utmel 编号

671-ZXMN2B03E6

商品类别

无类别的

封装

--

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

; Turn Off Time:33.9ns; Turn On Time:4.2ns; Voltage Vds Typ:20V; Voltage Vgs Max:8V; Voltage Vgs Rds N Channel:4.5V; Voltage Vgs Rds on Measurement:4.5V; Voltage Vgs th Max:1V; Voltage Vgs th Min:0.4V

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ZXMN2B03E6

ZXMN2B03E6 Diodes ; Turn Off Time:33.9ns; Turn On Time:4.2ns; Voltage Vds Typ:20V; Voltage Vgs Max:8V; Voltage Vgs Rds N Channel:4.5V; Voltage Vgs Rds on Measurement:4.5V; Voltage Vgs th Max:1V; Voltage Vgs th Min:0.4V

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ZXMN2B03E6详情

技术参数

Diodes ZXMN2B03E6重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
表面安装

YES
终端数量

6
晶体管元件材料

SILICON
Manufacturer Part Number

GW-135G
Manufacturer

Thomas & Betts
Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
Package Style

小概要
Moisture Sensitivity Levels

1
Package Body Material

PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)

40
Rohs Code

有
Package Shape

RECTANGULAR
Number of Elements

1
Part Life Cycle Code

Transferred
Ihs Manufacturer

ZETEX PLC
Risk Rank

5.34
Drain Current-Max (ID)

5.4 A
JESD-609代码

e3
ECCN 代码

EAR99
端子表面处理

哑光锡
端子位置

DUAL
终端形式

鸥翼
峰值回流焊温度（摄氏度）

260
Reach合规守则

unknown
JESD-30代码

R-PDSO-G6
资历状况

不合格
配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式

增强型MOSFET
晶体管应用

SWITCHING
极性/通道类型

N-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻

0.04 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)

26 A
DS 击穿电压-最小值

20 V
场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

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ZXMN2B03E6拓展信息

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