Diodes Inc. ZTX450STZ

底架

通孔

包装/外壳

TO-92-3

表面安装

NO

引脚数

3

质量

453.59237 mg

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Transistor Polarity

NPN

Qualification

-

Number of Elements

1

RoHS

Compliant

Emitter- Base Voltage VEBO

5 V

Pd - Power Dissipation

1 W

Maximum Operating Temperature

+ 200 C

Collector-Emitter Saturation Voltage

250 mV

Unit Weight

0.016000 oz

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

2000

Mounting Styles

通孔

Gain Bandwidth Product fT

150 MHz

Manufacturer

Diodes Incorporated

Brand

Diodes Incorporated

Maximum DC Collector Current

1 A

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

45 V

Package

Tape & Box (TB)

厂商

Diodes Incorporated

Product Status

活跃

Package Description

IN-LINE, R-PSIP-W3

Package Style

IN-LINE

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

40

Operating Temperature-Max

200 °C

Rohs Code

有

Transition Frequency-Nom (fT)

150 MHz

Manufacturer Part Number

ZTX450STZ

Package Shape

RECTANGULAR

Part Life Cycle Code

Transferred

Ihs Manufacturer

ZETEX PLC

Risk Rank

5.1

系列

ZTX450

包装

弹药包

JESD-609代码

e3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

最高工作温度

200 °C

最小工作温度

-55 °C

HTS代码

8541.29.00.75

子类别

Transistors

最大功率耗散

1 W

技术

Si

端子位置

SINGLE

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

not_compliant

频率

150 MHz

参考标准

CECC

JESD-30代码

R-PSIP-W3

资历状况

不合格

极性

NPN

配置

Single

元素配置

Single

功率耗散

1

晶体管应用

SWITCHING

增益带宽积

150 MHz

极性/通道类型

NPN

产品类别

BJTs - Bipolar Transistors

集电极发射器电压(VCEO)

45 V

最大集电极电流

1 A

转换频率

150

集电极基极电压(VCBO)

60 V

发射极基极电压 (VEBO)

5 V

集电极电流-最大值(IC)

1 A

最小直流增益（hFE）

15

连续集电极电流

1

集电极-发射器电压-最大值

45 V

VCEsat-最大值

0.25 V

集电极-基极电容-最大值

15 pF

环境耗散-最大值

2 W

产品类别

Bipolar Transistors - BJT

宽度

2.41 mm

高度

4.01 mm

长度

4.77 mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

无铅

无铅