2DB1132R-13R
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Diodes Incorporated 2DB1132R-13R

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型号

2DB1132R-13R

utmel 编号

671-2DB1132R-13R

商品类别

集成电路(IC)

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

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2DB1132R-13R详情

Diodes Incorporated 2DB1132R-13R重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    YES

  • 终端数量

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Manufacturer Part Number

    2DB1132R-13R

  • Rohs Code

  • Part Life Cycle Code

    活跃

  • Ihs Manufacturer

    DIODES INC

  • Package Description

    SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3

  • Risk Rank

    5.75

  • Moisture Sensitivity Levels

    1

  • Number of Elements

    1

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Package Style

    小概要

  • Transition Frequency-Nom (fT)

    190 MHz

  • JESD-609代码

    e3

  • 端子表面处理

    Matte Tin (Sn)

  • 附加功能

    HIGH RELIABILITY

  • 端子位置

    SINGLE

  • 终端形式

    FLAT

  • Reach合规守则

    compliant

  • 参考标准

    AEC-Q101

  • JESD-30代码

    R-PSSO-F3

  • 配置

    SINGLE

  • 箱体转运

    COLLECTOR

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 极性/通道类型

    PNP

  • 集电极电流-最大值(IC)

    1 A

  • 最小直流增益(hFE)

    180

  • 集电极-发射器电压-最大值

    32 V

0个相似型号

2DB1132R-13R拓展信息

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