Diodes Incorporated D12V0HA1U2SLP-7B
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D12V0HA1U2SLP-7B
671-D12V0HA1U2SLP-7B
TVS - 二极管
2-XDFN
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SURGE PROTECTION PP X1-DFN1006-2
1最小包装量--
D12V0HA1U2SLP-7B详情
Diodes Incorporated D12V0HA1U2SLP-7B重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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安装类型
表面贴装
包装/外壳
2-XDFN
引脚数
2
供应商器件包装
X1-DFN1006-2 (Type SA)
厂商
Diodes Incorporated
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
活跃
Number of Elements per Chip
1
Package Type
X1-DFN1006-2
Peak Pulse Power Dissipation
630W
Direction Type
Uni-Directional
Cd - Diode Capacitance
140 pF
Breakdown Voltage / V
13.5 V
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Vesd - Voltage ESD Contact
30 kV
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Ipp - Peak Pulse Current
30 A
Pppm - Peak Pulse Power Dissipation
630 W
Vesd - Voltage ESD Air Gap
30 kV
系列
-
操作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
类型
Zener
应用
通用型
终端样式
SMD/SMT
工作电压
12 V
极性
单向
通道数量
1 Channel
电源线保护
无
电压 - 击穿
13.5V
功率 - 脉冲峰值
630W
峰值脉冲电流(10/1000μs)
30A (8/20μs)
不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值)
17V (Typ)
箝位电压
16.1 V
电压 - 反向断态(典型值)
12V (Max)
单向通道
1
产品类别
TVS 二极管
电容@频率
140pF @ 1MHz
二极管配置
Single
D12V0HA1U2SLP-7B拓展信息
Diodes Incorporated
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