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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥1.433058
10
¥1.351945
100
¥1.275419
500
¥1.203219
1000
¥1.135116
Diodes Incorporated DDTC113TE-7-F
- 收藏
- 对比
DDTC113TE-7-F
671-DDTC113TE-7-F
晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置
SOT-523
大陆
立即发货

TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523
--最小包装量--
¥
总价: ¥
DDTC113TE-7-F详情
Diodes Incorporated DDTC113TE-7-F重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
19 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SOT-523
表面安装
YES
晶体管元件材料
SILICON
Current-Collector (Ic) (Max)
100mA
Number of Elements
1
Operating Temperature (Max.)
150°C
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2007
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
附加功能
BUILT-IN BIAS RESISTOR
HTS代码
8541.21.00.75
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
DDTC113
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PDSO-G3
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
功率 - 最大
150mW
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN - Pre-Biased
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
100 @ 1mA 5V
最大集极截止电流
500nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
300mV @ 1mA, 10mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
50V
转换频率
250MHz
频率转换
250MHz
最大耗散功率(Abs)
0.15W
电阻基(R1)
1 k Ω
RoHS状态
ROHS3 Compliant
DDTC113TE-7-F拓展信息
Diodes Incorporated
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