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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥0.176534
10
¥0.166541
100
¥0.157114
500
¥0.148221
1000
¥0.139832
Diodes Incorporated DDTD123YC-7-F
- 收藏
- 对比
DDTD123YC-7-F
671-DDTD123YC-7-F
晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
大陆
立即发货

TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
--最小包装量--
¥
总价: ¥
DDTD123YC-7-F详情
Diodes Incorporated DDTD123YC-7-F重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
19 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
表面安装
YES
晶体管元件材料
SILICON
Current-Collector (Ic) (Max)
500mA
Number of Elements
1
Operating Temperature (Max.)
150°C
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2008
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
附加功能
BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 4.54
HTS代码
8541.21.00.75
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
DTD123
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PDSO-G3
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
功率 - 最大
200mW
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN - Pre-Biased
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
56 @ 50mA 5V
最大集极截止电流
500nA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
300mV @ 2.5mA, 50mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
50V
转换频率
200MHz
频率转换
200MHz
最大耗散功率(Abs)
0.2W
电阻基(R1)
2.2 k Ω
电阻-发射极基极(R2)
10 k Ω
RoHS状态
ROHS3 Compliant
DDTD123YC-7-F拓展信息
Diodes Incorporated
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