Diodes Incorporated DMN26D0UFB4-7B

安装类型

表面贴装

包装/外壳

3-XFDFN

表面安装

YES

供应商器件包装

X2-DFN1006-3

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Package

Bulk

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

240mA (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4.5V

厂商

Diodes Incorporated

Power Dissipation (Max)

350mW (Ta)

Product Status

Obsolete

Package Type

X2-DFN1006-3

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

10000

Brand

Diodes Incorporated

Manufacturer

Diodes Incorporated

Package Description

GREEN, ULTRA SMALL, PLASTIC, CASE DFN1006H4-3, 3 PIN

Package Style

CHIP CARRIER

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Manufacturer Package Code

CASE DFN1006H4-3

Reflow Temperature-Max (s)

40

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

DMN26D0UFB4-7B

Package Shape

RECTANGULAR

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

DIODES INC

Risk Rank

5.66

Part Package Code

DFN

Drain Current-Max (ID)

0.24 A

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

-

JESD-609代码

e4

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)

附加功能

ESD PROTECTION, HIGH RELIABILITY, LOW THRESHOLD

子类别

MOSFETs

技术

MOSFET (Metal Oxide)

端子位置

BOTTOM

终端形式

无铅

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

compliant

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PBCC-N3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

3Ohm @ 100mA, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

900mV @ 250µA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

14.1 pF @ 15 V

漏源电压 (Vdss)

20 V

Vgs（最大值）

±10V

极性/通道类型

N-CHANNEL

产品类别

MOSFET

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.24 A

漏极-源极导通最大电阻

3 Ω

DS 击穿电压-最小值

20 V

信道型

N

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

0.35 W

场效应管特性

-

产品类别

MOSFET