Diotec Semiconductor AG BC859B
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BC859B
672-BC859B
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3
1最小包装量--
BC859B详情
Diotec Semiconductor AG BC859B重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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表面安装
YES
材料
nylon 66, UL
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
外壳材料
1
Gross weight
86.00
Transport packaging dimensions/quantity
48*31.5*27/160
Maximum bundle diameter
(E) - 50 mm
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
DIOTEC SEMICONDUCTOR AG
Part Package Code
SOT-23
Package Description
ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3
Operating Temperature-Max
150 °C
Operating Temperature-Min
-55 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
Transition Frequency-Nom (fT)
100 MHz
包装
poly bag - 100 pcs
JESD-609代码
e3
ECCN 代码
EAR99
类型
Non-releasable nylon cable tie
端子表面处理
哑光锡
颜色
white
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
10
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PDSO-G3
资历状况
不合格
配置
SINGLE
极性/通道类型
PNP
Operating temperature range
-10…+80 °C
JEDEC-95代码
TO-236
最大耗散功率(Abs)
0.31 W
集电极电流-最大值(IC)
0.1 A
最小直流增益(hFE)
220
集电极-发射器电压-最大值
30 V
饱和电流
1
宽度
3.6 mm
长度
200 mm
BC859B拓展信息
Diotec Semiconductor AG
Diotec Semiconductor AG
Diotec Semiconductor AG
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