10N80L-TF2-T详情
Eaton 10N80L-TF2-T重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
Axial
表面安装
NO
供应商器件包装
Axial
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Package Description
FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Package Style
FLANGE MOUNT
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
10N80L-TF2-T
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Unisonic Technologies Co Ltd
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
UNISONIC TECHNOLOGIES CO LTD
Risk Rank
5.12
Drain Current-Max (ID)
10 A
操作温度
-65°C ~ 350°C
系列
CW
包装
Bulk
尺寸/尺寸
0.375 Dia x 1.781 L (9.52mm x 45.24mm)
容差
±5%
零件状态
活跃
终止次数
2
温度系数
±30ppm/°C
电阻
34.8 Ohms
组成
Wirewound
功率(瓦特)
13W
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
Reach合规守则
compliant
JESD-30代码
R-PSFM-T3
失败率
--
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
ISOLATED
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-220AB
最大漏极电流 (Abs) (ID)
10 A
漏极-源极导通最大电阻
1.1 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
20 A
DS 击穿电压-最小值
800 V
雪崩能量等级(Eas)
1090 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
40 W
特征
Moisture Resistant
座位高度(最大)
--
10N80L-TF2-T拓展信息








哦! 它是空的。