Eaton LSE11N65E

表面安装

YES

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer Part Number

LSE11N65E

Rohs Code

有

Part Life Cycle Code

接触制造商

Ihs Manufacturer

XIAN LONTEN RENEWABLE ENERGY TECHNOLOGY INC

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2

Risk Rank

5.76

Drain Current-Max (ID)

11 A

Number of Elements

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

小概要

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

R-PSSO-G2

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-263AB

漏极-源极导通最大电阻

0.38 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

30 A

DS 击穿电压-最小值

650 V

雪崩能量等级（Eas）

210 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR