UTD351G-AE2-R详情
Eaton UTD351G-AE2-R重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Package Style
小概要
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
UTD351G-AE2-R
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Unisonic Technologies Co Ltd
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
UNISONIC TECHNOLOGIES CO LTD
Risk Rank
5.67
Drain Current-Max (ID)
1.4 A
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
JESD-30代码
R-PDSO-G3
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-236
漏极-源极导通最大电阻
0.16 Ω
DS 击穿电压-最小值
30 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
达到SVHC
compliant
UTD351G-AE2-R拓展信息








哦! 它是空的。