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EIC Semiconductor RBV2510D
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RBV2510D
1475-RBV2510D
二极管 - 射频
--
大陆
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Rectifier Bridge Diode Single 1KV 25A 4-Pin RBV25
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RBV2510D详情
EIC Semiconductor RBV2510D重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
ECCN (US)
EAR99
HTS
8541.10.00.80
Bridge Type
单相
Peak Reverse Repetitive Voltage (V)
1000
Peak Average Forward Current (A)
25
Peak RMS Reverse Voltage (V)
700
Peak Non-Repetitive Forward Surge Current (A)
400
Peak Forward Voltage (V)
1.1
Peak Reverse Current (uA)
10
Minimum Operating Temperature (°C)
-40
Maximum Operating Temperature (°C)
150
Standard Package Name
RBV25
Supplier Package
RBV25
Military
无
Mounting
通孔
Package Height
20(Max)
Package Length
30(Max)
Package Width
4.9(Max)
PCB changed
4
零件状态
活跃
引脚数量
4
配置
Single
RoHS状态
符合RoHS标准
RBV2510D拓展信息
哦! 它是空的。