EMF09P02V详情
EMC EMF09P02V重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
5
晶体管元件材料
SILICON
Manufacturer Part Number
EMF09P02V
Part Life Cycle Code
接触制造商
Ihs Manufacturer
EXCELLIANCE MOS CORP
Package Description
SMALL OUTLINE, S-PDSO-F5
Risk Rank
5.76
Drain Current-Max (ID)
20 A
Number of Elements
1
Operating Temperature-Min
-55 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
SQUARE
Package Style
小概要
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
S-PDSO-F5
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
极性/通道类型
P-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻
0.0095 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
80 A
DS 击穿电压-最小值
20 V
雪崩能量等级(Eas)
11.25 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
EMF09P02V拓展信息
EMC
EMC
EMC
EMC
EMC
EMC
EMC
EMC
EMC








哦! 它是空的。