EPC EPC2103ENGR

终端数量

75

晶体管元件材料

氮化镓

Rohs Code

有

Risk Rank

5.72

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Part Life Cycle Code

接触制造商

Package Style

UNCASED CHIP

Package Shape

RECTANGULAR

Package Description

UNCASED CHIP, R-XXUC-X75

Package Body Material

UNSPECIFIED

Number of Elements

2

Manufacturer Part Number

EPC2103ENGR

Manufacturer

Efficient Power Conversion

Ihs Manufacturer

EFFICIENT POWER CONVERSION CORP

Drain Current-Max (ID)

23 A

ECCN 代码

EAR99

端子位置

UNSPECIFIED

终端形式

UNSPECIFIED

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-XXUC-X75

配置

SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

漏极-源极导通最大电阻

0.0055 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

195 A

DS 击穿电压-最小值

80 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR