EPC2108
EPC2108

注:图像仅供参考,请参阅产品规格

技术文档 技术文档

PDF列表 PDF文档列表
免费送样

价格梯度

内地含税价

  • 1

    ¥19.618779

  • 10

    ¥18.508279

  • 100

    ¥17.460642

  • 500

    ¥16.472305

  • 1000

    ¥15.539912

EPC EPC2108

  • 收藏
  • 对比

型号

EPC2108

品牌

EPC

utmel 编号

791-EPC2108

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 阵列

封装

9-VFBGA

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

GANFET 3 N-CH 60V/100V 9BGA

起订量

--最小包装量--

单价:

总价:

添加到询价列表
EPC2108
EPC2108 EPC GANFET 3 N-CH 60V/100V 9BGA

单价: $

合计:

库存:522

请发送询价,我们将立即回复。

*
验证码
在线咨询

EPC2108详情

EPC EPC2108重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    14 Weeks

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    9-VFBGA

  • 供应商器件包装

    9-BGA (1.35x1.35)

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    1.7A 500mA

  • 操作温度

    -40°C~150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 系列

    eGaN®

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 场效应管类型

    3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    190mOhm @ 2.5A, 5V, 3.3Ohm @ 2.5A, 5V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    2.5V @ 100μA, 2.5V @ 20μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    22pF @ 30V 7pF @ 30V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    0.22nC @ 5V, 0.044nC @ 5V

  • 漏源电压 (Vdss)

    60V 100V

  • 场效应管特性

    GaNFET (Gallium Nitride)

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

0个相似型号

技术文档: EPC EPC2108.

EPC2108拓展信息

索引: # 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z