SG-8101CA 114.5000M-TCHSA0详情
Epson SG-8101CA 114.5000M-TCHSA0重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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安装类型
通孔
包装/外壳
TO-220-3
供应商器件包装
TO-220-3
Package
Bulk
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
5.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
厂商
Fairchild Semiconductor
Power Dissipation (Max)
158W (Tc)
Product Status
活跃
Base Product Number
SG-8101
操作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
系列
QFET®
尺寸/尺寸
0.276 L x 0.197 W (7.00mm x 5.00mm)
类型
XO (Standard)
技术
MOSFET (Metal Oxide)
电压 - 供电
1.8V ~ 3.3V
频率
114.5 MHz
频率稳定性
±20ppm
输出量
CMOS
功能
Standby (Power Down)
基本谐振器
Crystal
最大电流源
6.8mA (Typ)
电流 - 电源(禁用)(最大值)
1.1µA
扩频带宽
-
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
2.5Ohm @ 2.75A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
5V @ 250µA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1310 pF @ 25 V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
30 nC @ 10 V
漏源电压 (Vdss)
800 V
Vgs(最大值)
±30V
绝对牵引范围 (APR)
-
场效应管特性
-
座位高度(最大)
0.055 (1.40mm)
评级结果
-
SG-8101CA 114.5000M-TCHSA0拓展信息
Seiko Epson
Epson
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