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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥18.816554
10
¥17.75147
100
¥16.746669
500
¥15.798743
1000
¥14.904475
SG-8101CB 66.0000M-TBGSA0详情
Epson SG-8101CB 66.0000M-TBGSA0重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
SOT-23-3
安装类型
表面贴装
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
20 V
Typical Turn-On Delay Time
4 ns
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
1.2 V
Qualification
AEC-Q101
Pd - Power Dissipation
1.25 W
Transistor Polarity
N-Channel
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Vgs - Gate-Source Voltage
- 12 V, + 12 V
Unit Weight
0.000282 oz
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
12000
Mounting Styles
SMD/SMT
Channel Mode
Enhancement
Manufacturer
Panjit
Brand
Panjit
Qg - Gate Charge
4.6 nC
Rds On - Drain-Source Resistance
56 mOhms
RoHS
Details
Typical Turn-Off Delay Time
18 ns
Id - Continuous Drain Current
4.1 A
Package
Tape & Reel (TR)
Base Product Number
SG-8101
厂商
EPSON
Product Status
活跃
包装
Reel
操作温度
-40°C ~ 85°C
系列
SG-8101
尺寸/尺寸
0.197 L x 0.126 W (5.00mm x 3.20mm)
类型
XO (Standard)
子类别
MOSFETs
技术
Si
电压 - 供电
1.8V ~ 3.3V
频率
66 MHz
频率稳定性
±15ppm
输出量
CMOS
功能
Standby (Power Down)
基本谐振器
Crystal
最大电流源
6.8mA (Typ)
电流 - 电源(禁用)(最大值)
1.1µA
配置
Single
通道数量
1 Channel
扩频带宽
-
上升时间
47 ns
产品类别
MOSFET
晶体管类型
1 N-Channel
绝对牵引范围 (APR)
-
产品类别
MOSFET
座位高度(最大)
0.051 (1.30mm)
评级结果
-
SG-8101CB 66.0000M-TBGSA0拓展信息
Seiko Epson
Epson
Epson
Epson
Epson
Epson
Epson
Epson








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