SG-8101CB 67.1000M-TCHPA0详情
Epson SG-8101CB 67.1000M-TCHPA0重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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安装类型
表面贴装
包装/外壳
PowerPAK® SO-8
供应商器件包装
PowerPAK® SO-8
Package
Tape & Reel (TR)
Base Product Number
SI7664
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
40A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
厂商
Vishay Siliconix
Power Dissipation (Max)
5.4W (Ta), 83W (Tc)
Product Status
Obsolete
操作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
系列
TrenchFET®
尺寸/尺寸
0.197 L x 0.126 W (5.00mm x 3.20mm)
类型
XO (Standard)
技术
MOSFET (Metal Oxide)
电压 - 供电
1.8V ~ 3.3V
频率
67.1 MHz
频率稳定性
±20ppm
输出量
CMOS
功能
Enable/Disable
基本谐振器
Crystal
最大电流源
6.8mA (Typ)
电流 - 电源(禁用)(最大值)
3.5mA
扩频带宽
-
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
3.1mOhm @ 20A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.8V @ 250µA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
7770 pF @ 15 V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
125 nC @ 10 V
漏源电压 (Vdss)
30 V
Vgs(最大值)
±12V
绝对牵引范围 (APR)
-
场效应管特性
-
座位高度(最大)
0.051 (1.30mm)
评级结果
-
SG-8101CB 67.1000M-TCHPA0拓展信息
Seiko Epson
Epson
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