Ericsson BMR4651010/001

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

触点镀层

Gold

底架

表面贴装

供应商器件包装

TO-220-3

Package

Tube

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

4.5A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

厂商

Fairchild Semiconductor

Power Dissipation (Max)

70W (Tc)

Product Status

Obsolete

RoHS

Compliant

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

QFET®

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-40 °C

技术

MOSFET (Metal Oxide)

输出的数量

1

输出电压

1.8 V

输出电流

90 A

输出功率

162 W

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

1.6Ohm @ 2.25A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 250µA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

460 pF @ 25 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

13 nC @ 10 V

漏源电压 (Vdss)

400 V

Vgs（最大值）

±30V

场效应管特性

-