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Ericsson PTB20189
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PTB20189
797-PTB20189
晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
--
大陆
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Description: RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN
1最小包装量--
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PTB20189详情
Ericsson PTB20189重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：
- 参数名参数值全选
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表面安装
YES
终端数量
4
晶体管元件材料
SILICON
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
爱立信电源模块
Package Description
SMALL OUTLINE, R-CDSO-N4
Package Style
小概要
Package Shape
RECTANGULAR
Package Body Material
CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
Number of Elements
1
ECCN 代码
EAR99
附加功能
HIGH RELIABILITY
端子位置
DUAL
终端形式
无铅
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
R-CDSO-N4
资历状况
不合格
配置
SINGLE
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
NPN
集电极电流-最大值(IC)
0.5 A
最小直流增益（hFE）
20
集电极-发射器电压-最大值
28 V
最高频段
超高频段
PTB20189拓展信息
哦! 它是空的。