我的订单
会员中心 
在线咨询
0755-83328606
Ericsson PTF10125
- 收藏
- 对比
PTF10125
797-PTF10125
晶体管 - 特殊用途
--
大陆
立即发货
RF Power Field-Effect Transistor, 2-Element, L Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, 20250, 4 PIN
1最小包装量--
请发送询价，我们将立即回复。
在线咨询
PTF10125详情
Ericsson PTF10125重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
4
晶体管元件材料
SILICON
外壳材料
2
Rohs Code
无
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
爱立信电源模块
Package Description
FLANGE MOUNT, R-CDFM-F4
Operating Temperature-Max
200 °C
Package Body Material
CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
FLANGE MOUNT
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
锡铅
附加功能
HIGH RELIABILITY
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
Reach合规守则
unknown
引脚数量
4
JESD-30代码
R-CDFM-F4
资历状况
不合格
配置
COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
SOURCE
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
N-CHANNEL
DS 击穿电压-最小值
65 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
440 W
最高频段
L带
PTF10125拓展信息
哦! 它是空的。