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12P10L-TM3-T详情
E-T-A 12P10L-TM3-T重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：
- 参数名参数值全选
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表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Manufacturer Part Number
12P10L-TM3-T
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
UNISONIC TECHNOLOGIES CO LTD
Package Description
IN-LINE, R-PSIP-T3
Risk Rank
5.62
Drain Current-Max (ID)
9.4 A
Number of Elements
1
Operating Temperature-Max
150 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
IN-LINE
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
Reach合规守则
compliant
JESD-30代码
R-PSIP-T3
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
P-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-251
最大漏极电流 (Abs) (ID)
9.4 A
漏极-源极导通最大电阻
0.29 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
37.6 A
DS 击穿电压-最小值
100 V
雪崩能量等级（Eas）
280 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
50 W
12P10L-TM3-T拓展信息
E-T-A
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哦! 它是空的。