Etron Technology EM658160TS-4
- 收藏
- 对比
EM658160TS-4
812-EM658160TS-4
无类别的
--
大陆
立即发货

DDR DRAM, 4MX16, 0.6ns, CMOS, PDSO66
--最小包装量--
EM658160TS-4详情
Etron Technology EM658160TS-4重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
66
Package Style
SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
Number of Words Code
4000000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Equivalence Code
TSSOP66,.46
Access Time-Max
0.6 ns
Operating Temperature-Max
70 °C
Manufacturer Part Number
EM658160TS-4
Clock Frequency-Max (fCLK)
250 MHz
Number of Words
4194304 words
Package Code
TSSOP
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Etron Technology Inc
Part Life Cycle Code
接触制造商
Ihs Manufacturer
ETRON TECHNOLOGY INC
Risk Rank
5.73
子类别
DRAMs
技术
CMOS
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
端子间距
0.635 mm
Reach合规守则
compliant
JESD-30代码
R-PDSO-G66
资历状况
不合格
电源
2.5,3.3 V
温度等级
COMMERCIAL
电源电流-最大值
0.27 mA
组织结构
4MX16
输出特性
3-STATE
内存宽度
16
待机电流-最大值
0.08 A
记忆密度
67108864 bit
I/O类型
COMMON
内存IC类型
DDR DRAM
刷新周期
4096
顺序突发长度
2,4,8
交错突发长度
2,4,8
EM658160TS-4拓展信息







哦! 它是空的。