EM6A9320BI-4M
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Etron Technology EM6A9320BI-4M

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型号

EM6A9320BI-4M

utmel 编号

812-EM6A9320BI-4M

商品类别

无类别的

封装

--

交货地

大陆

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ROHS

ECAD

简介

DDR DRAM, 4MX32, 0.7ns, CMOS, PBGA144

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EM6A9320BI-4M
EM6A9320BI-4M Etron Technology DDR DRAM, 4MX32, 0.7ns, CMOS, PBGA144

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EM6A9320BI-4M详情

Etron Technology EM6A9320BI-4M重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    YES

  • 终端数量

    144

  • Package Style

    GRID ARRAY, FINE PITCH

  • Number of Words Code

    4000000

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Package Equivalence Code

    BGA144,12X12,32

  • Access Time-Max

    0.7 ns

  • Operating Temperature-Max

    70 °C

  • Rohs Code

  • Manufacturer Part Number

    EM6A9320BI-4M

  • Clock Frequency-Max (fCLK)

    250 MHz

  • Number of Words

    4194304 words

  • Supply Voltage-Nom (Vsup)

    2.5 V

  • Package Code

    FBGA

  • Package Shape

    SQUARE

  • Manufacturer

    Etron Technology Inc

  • Part Life Cycle Code

    接触制造商

  • Ihs Manufacturer

    ETRON TECHNOLOGY INC

  • Risk Rank

    5.79

  • 子类别

    DRAMs

  • 技术

    CMOS

  • 端子位置

    BOTTOM

  • 终端形式

    BALL

  • 端子间距

    0.8 mm

  • Reach合规守则

    compliant

  • JESD-30代码

    S-PBGA-B144

  • 资历状况

    不合格

  • 电源

    2.5 V

  • 温度等级

    COMMERCIAL

  • 电源电流-最大值

    0.6 mA

  • 组织结构

    4MX32

  • 输出特性

    3-STATE

  • 内存宽度

    32

  • 待机电流-最大值

    0.075 A

  • 记忆密度

    134217728 bit

  • I/O类型

    COMMON

  • 内存IC类型

    DDR DRAM

  • 刷新周期

    4096

  • 顺序突发长度

    1,2,4,8,FP

  • 交错突发长度

    2,4,8

0个相似型号

EM6A9320BI-4M拓展信息

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公司资质

ISO13485
AS
SMTA
DUNS