Etron Technology, Inc. EM63A165TS-5G
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EM63A165TS-5G
812-EM63A165TS-5G
存储器
54-TSOP (0.400, 10.16mm Width)
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256MB 16MX16 SDRAM
--最小包装量--
EM63A165TS-5G详情
Etron Technology, Inc. EM63A165TS-5G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
4 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
54-TSOP (0.400, 10.16mm Width)
表面安装
YES
Memory Types
Volatile
操作温度
0°C~70°C TA
包装
Tape & Reel (TR)
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
54
附加功能
AUTO/SELF REFRESH
电压 - 供电
3V~3.6V
端子位置
DUAL
功能数量
1
电源电压
3.3V
端子间距
0.8mm
Reach合规守则
compliant
JESD-30代码
R-PDSO-G54
电源电压-最大值(Vsup)
3.6V
电源电压-最小值(Vsup)
3V
内存大小
256Mb 16M x 16
端口的数量
1
操作模式
SYNCHRONOUS
时钟频率
200MHz
访问时间
4.5ns
内存格式
DRAM
内存接口
Parallel
组织结构
16MX16
输出特性
3-STATE
内存宽度
16
写入周期时间 - 字符、页面
10ns
待机电流-最大值
0.045A
记忆密度
268435456 bit
I/O类型
COMMON
刷新周期
8192
交错突发长度
1248
自我刷新
有
长度
22.22mm
座位高度(最大)
1.2mm
宽度
10.16mm
RoHS状态
符合RoHS标准
EM63A165TS-5G拓展信息
Etron Technology
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