FDD5670
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Fairchild FDD5670

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型号

FDD5670

品牌

Fairchild

utmel 编号

836-FDD5670

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2

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FDD5670 Fairchild POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2

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FDD5670详情

Fairchild FDD5670重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 触点镀层

    Lead, Tin

  • 底架

    通孔

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

  • 供应商器件包装

    TO-252, (D-Pak)

  • RoHS

    Non-Compliant

  • Package

    Bulk

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    52A (Ta)

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    6V, 10V

  • 厂商

    Fairchild Semiconductor

  • Power Dissipation (Max)

    3.8W (Ta), 83W (Tc)

  • Product Status

    活跃

  • 操作温度

    -55°C ~ 175°C (TJ)

  • 系列

    PowerTrench®

  • 容差

    0.5 %

  • 温度系数

    50 ppm/°C

  • 电阻

    40.2 kΩ

  • 最高工作温度

    175 °C

  • 最小工作温度

    -65 °C

  • 组成

    Metal Film

  • 技术

    MOSFET (Metal Oxide)

  • 军用标准

    MIL-PRF-55182

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    15mOhm @ 10A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    4V @ 250µA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    2739 pF @ 15 V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    73 nC @ 10 V

  • 漏源电压 (Vdss)

    60 V

  • Vgs(最大值)

    ±20V

  • 场效应管特性

    -

  • 长度

    7.62 mm

  • 直径

    2.39 mm

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FDD5670拓展信息

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