FDD6N50TM
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Fairchild FDD6N50TM

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型号

FDD6N50TM

品牌

Fairchild

utmel 编号

836-FDD6N50TM

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET N-CH 500V 6A DPAK

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FDD6N50TM Fairchild MOSFET N-CH 500V 6A DPAK

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FDD6N50TM详情

Fairchild FDD6N50TM重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

  • 供应商器件包装

    TO-252, (D-Pak)

  • Product Status

    活跃

  • 厂商

    Corsair

  • Base Product Number

    MS27497E12B

  • Package

    Bag

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    6A (Tc)

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    10V

  • Power Dissipation (Max)

    89W (Tc)

  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

    5V @ 250µA

  • 系列

    *

  • 操作温度

    -55°C ~ 150°C (TJ)

  • 技术

    MOSFET (Metal Oxide)

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    900mOhm @ 3A, 10V

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    9400 pF @ 25 V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    16.6 nC @ 10 V

  • 漏源电压 (Vdss)

    500 V

  • Vgs(最大值)

    ±30V

  • 场效应管特性

    -

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FDD6N50TM拓展信息

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