FDG326P详情
Fairchild FDG326P重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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安装类型
表面贴装
包装/外壳
4-SMD, No Lead
供应商器件包装
SC-88 (SC-70-6)
Package
Bulk
厂商
Suntsu Electronics, Inc.
Product Status
活跃
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
1.5A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Power Dissipation (Max)
750mW (Ta)
操作温度
-30°C ~ 85°C
系列
SXT214
尺寸/尺寸
0.079 L x 0.063 W (2.00mm x 1.60mm)
类型
兆赫晶体
技术
MOSFET (Metal Oxide)
频率
18.432 MHz
频率稳定性
±30ppm
ESR(等效串联电阻)
200 Ohms
负载电容
19pF
操作模式
Fundamental
频率容差
±15ppm
场效应管类型
P-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
140mOhm @ 1.5A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.5V @ 250µA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
467 pF @ 10 V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
7 nC @ 4.5 V
漏源电压 (Vdss)
20 V
Vgs(最大值)
±8V
场效应管特性
-
座位高度(最大)
0.020 (0.50mm)
评级结果
-
FDG326P拓展信息
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
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Fairchild Semiconductor
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