Fairchild FDZ3N513ZT

安装类型

表面贴装

包装/外壳

4-XFBGA, WLCSP

供应商器件包装

4-WLCSP (1x1)

Package

Bulk

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

1.1A

厂商

Fairchild Semiconductor

Power Dissipation (Max)

1W (Ta)

Product Status

活跃

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

操作温度

-55°C ~ 125°C (TJ)

系列

-

技术

MOSFET (Metal Oxide)

场效应管类型

P-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

462mOhm @ 300mA, 4.5V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

85 pF @ 15 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

1 nC @ 4.5 V

漏源电压 (Vdss)

30 V

Vgs（最大值）

+5.5V, -300mV

场效应管特性

Schottky Diode (Isolated)