Fairchild HUF75321S3S

包装/外壳

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

安装类型

表面贴装

供应商器件包装

D2PAK (TO-263)

Qualification

MIL-PRF-55182/9

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Product Status

Obsolete

Power Dissipation (Max)

93W (Tc)

厂商

Fairchild Semiconductor

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

35A (Tc)

Package

Tube

系列

UltraFET™

操作温度

-55°C ~ 175°C (TJ)

温度系数

5, 10 ppm/°C

电阻

3.3

额定功率

0.6 W

技术

MOSFET (Metal Oxide)

电阻器类型

通用型

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

34mOhm @ 35A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

680 pF @ 25 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

44 nC @ 20 V

漏源电压 (Vdss)

55 V

Vgs（最大值）

±20V

电阻公差

0.1

场效应管特性

-

产品长度

7.62

产品宽度

2.67