Fairchild HUF75332S3ST

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

供应商器件包装

D2PAK (TO-263)

Package

Bulk

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

52A (Tc)

厂商

Fairchild Semiconductor

Power Dissipation (Max)

110W (Tc)

Product Status

Obsolete

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

4V @ 250µA

操作温度

-55°C ~ 175°C (TJ)

系列

UltraFET™

技术

MOSFET (Metal Oxide)

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

19mOhm @ 52A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1300 pF @ 25 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

85 nC @ 20 V

漏源电压 (Vdss)

55 V

Vgs（最大值）

±20V

场效应管特性

-