Fairchild HUF75639G3

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

引脚数

3

供应商器件包装

TO-247

Package Type

TO-247

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Channel Mode

Enhancement

Number of Elements per Chip

1

Package

Bulk

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

56A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

厂商

Fairchild Semiconductor

Power Dissipation (Max)

200W (Tc)

Product Status

活跃

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

4V @ 250µA

系列

UltraFET

操作温度

-55°C ~ 175°C (TJ)

技术

MOSFET (Metal Oxide)

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

25mOhm @ 56A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2000 pF @ 25 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

130 nC @ 20 V

漏源电压 (Vdss)

100 V

Vgs（最大值）

±20V

信道型

N

场效应管特性

-

宽度

4.82mm

高度

20.82mm

长度

15.87mm