HUF75823D3ST详情
Fairchild HUF75823D3ST重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
4-SMD, No Lead
安装类型
表面贴装
表面安装
YES
终端数量
2
晶体管元件材料
SILICON
Package
Tape & Reel (TR)
Base Product Number
SG-8101
厂商
EPSON
Product Status
活跃
Package Style
小概要
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Max
175 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
HUF75823D3ST
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Intersil Corporation
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Transferred
Ihs Manufacturer
INTERSIL CORP
Risk Rank
5.19
Drain Current-Max (ID)
14 A
操作温度
-40°C ~ 105°C
系列
SG-8101
尺寸/尺寸
0.126 L x 0.098 W (3.20mm x 2.50mm)
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
EAR99
类型
XO (Standard)
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
子类别
FET 通用电源
电压 - 供电
1.8V ~ 3.3V
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
Reach合规守则
not_compliant
频率
49.56 MHz
频率稳定性
±20ppm
输出量
CMOS
JESD-30代码
R-PSSO-G2
功能
Standby (Power Down)
基本谐振器
Crystal
最大电流源
6.8mA (Typ)
资历状况
不合格
电流 - 电源(禁用)(最大值)
1.1µA
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
扩频带宽
-
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-252AA
最大漏极电流 (Abs) (ID)
14 A
漏极-源极导通最大电阻
0.15 Ω
DS 击穿电压-最小值
150 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
85 W
绝对牵引范围 (APR)
-
座位高度(最大)
0.047 (1.20mm)
评级结果
-
HUF75823D3ST拓展信息








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