Fairchild IRLR220A

表面安装

YES

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

RoHS

Non-Compliant

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2

Package Style

小概要

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Manufacturer Part Number

IRLR220A

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

三星半导体

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC

Risk Rank

5.38

Drain Current-Max (ID)

4.6 A

ECCN 代码

EAR99

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

漏极-源极导通最大电阻

0.8 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

16 A

DS 击穿电压-最小值

200 V

雪崩能量等级（Eas）

28 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

达到SVHC

unknown