Fairchild SI3443DV

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

供应商器件包装

Micro6™(TSOP-6)

Package

Bulk

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

4.4A (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V

厂商

Fairchild Semiconductor

Power Dissipation (Max)

2W (Ta)

Product Status

Obsolete

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

HEXFET®

技术

MOSFET (Metal Oxide)

场效应管类型

P-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

65mOhm @ 4.4A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.5V @ 250µA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1079 pF @ 10 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

15 nC @ 4.5 V

漏源电压 (Vdss)

20 V

Vgs（最大值）

±12V

场效应管特性

-