Fairchild (ON Semiconductor) 2N4123D26Z

表面安装

NO

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer Part Number

2N4123D26Z

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP

Package Description

CYLINDRICAL, O-PBCY-T3

Risk Rank

5.07

Number of Elements

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Shape

ROUND

Package Style

CYLINDRICAL

Transition Frequency-Nom (fT)

250 MHz

hFEMin

50

RoHS

Non-Compliant

ECCN 代码

EAR99

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

HTS代码

8541.21.00.75

最大功率耗散

625 mW

端子位置

BOTTOM

终端形式

THROUGH-HOLE

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

O-PBCY-T3

资历状况

不合格

极性

NPN

配置

SINGLE

元素配置

Single

晶体管应用

SWITCHING

增益带宽积

250 MHz

极性/通道类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

30 V

最大集电极电流

200 mA

JEDEC-95代码

TO-92

集电极基极电压(VCBO)

40 V

发射极基极电压 (VEBO)

5 V

集电极电流-最大值(IC)

0.2 A

最小直流增益（hFE）

25

集电极-发射器电压-最大值

30 V