Fairchild (ON Semiconductor) 2N5087D26Z

表面安装

NO

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer Part Number

2N5087D26Z

Rohs Code

无

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP

Package Description

CYLINDRICAL, O-PBCY-T3

Risk Rank

5.68

Number of Elements

1

Operating Temperature-Max

150 °C

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Shape

ROUND

Package Style

CYLINDRICAL

Transition Frequency-Nom (fT)

40 MHz

hFEMin

250

RoHS

Non-Compliant

JESD-609代码

e0

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

附加功能

低噪音

HTS代码

8541.21.00.95

最大功率耗散

625 mW

端子位置

BOTTOM

终端形式

THROUGH-HOLE

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

O-PBCY-T3

资历状况

不合格

极性

PNP

配置

SINGLE

元素配置

Single

晶体管应用

AMPLIFIER

增益带宽积

40 MHz

极性/通道类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

50 V

最大集电极电流

100 mA

JEDEC-95代码

TO-92

集电极基极电压(VCBO)

50 V

最大耗散功率(Abs)

0.35 W

发射极基极电压 (VEBO)

3 V

集电极电流-最大值(IC)

0.1 A

最小直流增益（hFE）

250

集电极-发射器电压-最大值

50 V