Fairchild (ON Semiconductor) 2N5769

底架

通孔

包装/外壳

TO-92

引脚数

3

质量

201mg

Collector-Emitter Breakdown Voltage

15V

Collector-Emitter Saturation Voltage

500mV

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

350mW

hFEMin

40

包装

Bulk

JESD-609代码

e1

无铅代码

yes

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

电压 - 额定直流

15V

端子位置

BOTTOM

峰值回流焊温度（摄氏度）

NOT APPLICABLE

额定电流

200mA

时间@峰值回流温度-最大值(s)

NOT APPLICABLE

引脚数量

3

资历状况

不合格

极性

NPN

元素配置

Single

功率耗散

350mW

晶体管应用

SWITCHING

集电极发射器电压(VCEO)

15V

最大集电极电流

200mA

转换频率

500MHz

集电极基极电压(VCBO)

40V

发射极基极电压 (VEBO)

4.5V

最小直流增益（hFE）

20

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

含铅