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'fdc658p_nl'

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category.单MOSFET晶体管 (2)

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对比

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产品型号

品牌

数据表

库存

价格(含增值税)

数量

Rohs

工厂交货时间

生命周期状态

触点镀层

底架

安装类型

包装/外壳

引脚数

供应商器件包装

质量

晶体管元件材料

厂商

操作温度

包装

已出版

系列

JESD-609代码

无铅代码

零件状态

湿度敏感性等级(MSL)

终止次数

ECCN 代码

电阻

附加功能

电压 - 额定直流

技术

端子位置

终端形式

额定电流

通道数量

元素配置

操作模式

功率耗散

接通延迟时间

场效应管类型

晶体管应用

Rds On(Max)@Id,Vgs

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

上升时间

漏源电压 (Vdss)

Vgs（最大值）

下降时间（典型值）

连续放电电流(ID)

阈值电压

栅极至源极电压(Vgs)

最大漏极电流 (Abs) (ID)

漏源击穿电压

最大结点温度（Tj）

场效应管特性

高度

长度

宽度

辐射硬化

达到SVHC

RoHS状态

无铅

FDC658P

ON Semiconductor

1204 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

10 Weeks

ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)

Tin

表面贴装

表面贴装

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

6

36mg

SILICON

1

1.6W Ta

24 ns

4A Ta

10V

-55°C~150°C TJ

Tape & Reel (TR)

2017

PowerTrench®

e3

yes

活跃

1 (Unlimited)

6

EAR99

50mOhm

逻辑电平兼容

-30V

DUAL

鸥翼

-4A

1

Single

增强型MOSFET

1.6W

12 ns

P-Channel

SWITCHING

50m Ω @ 4A, 10V

3V @ 250μA

750pF @ 15V

12nC @ 5V

14ns

30V

±20V

16 ns

-4A

-1.7V

20V

4A

-30V

150°C

1.1mm

3mm

1.7mm

无

无SVHC

ROHS3 Compliant

无铅

FDC658P

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

SuperSOT™-6

Reliance Electric

Bulk

4A (Ta)

Fairchild Semiconductor

10V

1.6W (Ta)

活跃

-55°C ~ 150°C (TJ)

PowerTrench®

MOSFET (Metal Oxide)

P-Channel

50mOhm @ 4A, 10V

3V @ 250µA

750 pF @ 15 V

12 nC @ 5 V

30 V

±20V

-